Перевод: со всех языков на все языки

со всех языков на все языки

за счёт накопления неосновных носителей

См. также в других словарях:

  • ИНЖЕКЦИЯ носителей — (от лат. injectio вбрасывание), проникновение неравновесных (избыточных) носителей заряда в полупроводник или диэлектрик под действием электрич. поля. Источником избыточных носителей служит контактирующий ПП или металл (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ… …   Физическая энциклопедия

  • Время восстановления — обратного сопротивления базы диода  это переходный процесс, возникающий при переключении диода из проводящего состояния (прямого) в закрытое. Процесс обратного восстановления (ОВ) в большей степени характерен диодам на p n переходе, в отличие от… …   Википедия

  • Обратное восстановление — Эта статья или раздел нуждается в переработке. Пожалуйста, улучшите статью в соответствии с правилами написания статей …   Википедия

  • P — n-переход — (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… …   Википедия

  • Р — n-переход — p  n переход (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости …   Википедия

  • Электронно-дырочный переход — p  n переход (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости …   Википедия

  • ПИ-МЕЗОНЫ — (p мезоны, пионы), группа из трёх нестабильных бесспиновых элем. ч ц двух заряженных (p+ и p ) и одной нейтральной (p°), относящихся к классу адронов и являющихся среди них наиболее лёгкими. Масса пионов промежуточная между массами протона и эл… …   Физическая энциклопедия

  • ПЗС-ДЕТЕКТОР — координатный детекторчастиц, основой к рого является прибор с зарядовой связью (ПЗС,[1]). Создание детекторов частиц с высоким координатным разрешением однаиз важнейших задач ядерной физики и физики элементарных частиц (см. Координатныедетекторы) …   Физическая энциклопедия

  • Биполярный транзистор — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор  трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно… …   Википедия

  • Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… …   Википедия

  • Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… …   Википедия

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»